同時利用透射電鏡、掃描電鏡以及偏光顯微鏡輔以溶脹平衡實驗對MMT在CIIR基體材料內的分散以及作用機理進行觀察和分析，探討了OMMT作為阻尼劑的阻尼機理，研究了不同的分散情況對CIIR/OMMT復合材料力學性能、阻尼性能的影響，在進行預清洗過程時，蝕刻速率變化不大，說明表面沒有氧化硅掩蔽層或有機殘留物層，透射電鏡調查也證實了這一發現，通過透射電鏡高分辨元素成像，可以看出納米顆粒的元素組成確實包括Cd元素和S元素。

透射電子顯微鏡（TEM）是研究材料微結構zui直接的表征技術之一，能夠在納米到原子尺度對材料微結構進行成像與分析，目前，應用于材料的電學參數表征方法可以分為兩大類：一類為宏觀尺度技術，比如四點探針法或范德堡法，光學測量等，允許快速檢測，但只能提供直流電導率等單一參數信息，另一類為納米尺度的技術，如拉曼光譜、原子力顯微鏡、掃描電鏡、透射電鏡等，能夠得到分辨率很高的圖像，然而通常需要復雜的樣品制備步驟，并且測量速度十分緩慢，無法實現高速測量。

染色方法有單染，包括鉛鹽單染和鈾鹽單染；雙染色，醋酸鈾染色和檸檬酸鉛染色，雙染色呈現結果更全面，我們一般采用的雙染法進行染色，常用染色劑：醋酸鈾，有微弱的放射性，主要染核酸、核蛋白、細胞核、結締組織，檸檬酸鉛，主要染膜結構、脂類、糖原等，易與CO2反應成沉淀，染色中應采取措施避免，電鏡照片主要解析粒徑分布、單晶/多晶、晶面結構、元素和原子分散，其本質是信號的空間分布，基本機理與比例尺地圖是一致的。