另一方面，濕蝕刻僅是化學過程，干蝕刻等向性蝕刻與異向性蝕刻同時存在，濕蝕刻：利用化學藥液將需要蝕刻掉的物質蝕刻掉，濕蝕刻為等向性蝕刻，濕蝕刻機臺便宜，蝕刻速度快，但難以jing確控制線寬和獲得極其精細的圖形并且需要大量用水，污染大；干蝕刻機臺價格昂貴，蝕刻速度速度慢，但可以jing確控制線寬能獲得極其精細的圖形，而且不需要用水，污染小，蝕刻工藝是一項工業應用，涉及到我們生活中的全方面應用，在工業制造中是不可缺少的中間工藝，其應用領域緊密的以我們生活中的“吃、穿、住、行”為主要應用，無論是行業應用，或者是生活生產，蝕刻工藝是不可取代，且不可缺失的。

在一些蝕刻情況下，蝕刻會削弱掩模層，并產生形成空腔的傾斜側壁，底切的距離稱為偏差，濕蝕刻劑通常是各向同性的，并且它們在厚膜蝕刻期間導致較大的偏差，它們還需要處理大量有毒廢物，這種蝕刻方法在“后端”處理(BEOL)之前特別有效，在該處理中，晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄，并且對熱或機械類型的應力非常敏感，晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設備的基礎；zui常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。

現在可以對涂覆的晶片進行濕法蝕刻以將所需的圖案雕刻到晶片中，各向同性蝕刻，即在所有方向上均相等的蝕刻，是指基材的方向不影響蝕刻劑去除材料的方式，如果允許蝕刻劑反應足夠長的時間，如圖1所示，蝕刻劑將蝕刻掉稱為掩模底切的掩模下的基板材料，可以通過在底切掩模前先沖洗掉蝕刻劑，然后在通道上施加光刻膠來避免這種情況，加工出來的產品沒有毛刺，沒有臟污，表面更是光滑，蝕刻加工是其他機械的工藝都無法加工的高精密產品。